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發布時間:2025-09-04點擊:
液態硅膠全包膠實現 360° 無死角包覆,需從基材預處理、模具結構設計、注塑工藝控制、材料匹配四大維度系統優化,核心解決 “基材定位偏移、硅膠填充不充分、界面結合不緊密” 三大痛點,具體技術路徑如下:
精密清潔去油污
基材(如 PC、ABS、金屬)表面需通過超聲波清洗(溶劑為異丙醇或去離子水) 去除脫模劑、指紋、粉塵等雜質,清洗后用壓縮空氣吹干,避免殘留液體導致硅膠與基材間產生氣泡。對于金屬基材(如不銹鋼),還需進行電解拋光或噴砂,增加表面粗糙度(Ra 1.6-3.2μm),通過 “機械錨定效應” 增強硅膠附著力。
表面活化處理
塑料基材:采用等離子處理(功率 300-500W,時間 10-30s) 或紫外光氧化,打破表面分子鏈并引入羥基、羧基等極性基團,使硅膠與基材的界面張力從 50mN/m 降至 30mN/m 以下,顯著提升結合力(剝離強度≥3N/cm)。
金屬基材:可涂覆硅烷偶聯劑(如 KH-550),通過化學鍵橋接金屬表面與硅膠分子,避免后期因冷熱循環導致包覆層剝離。
基材剛性定位系統
設計多向定位銷 + 彈性預壓機構:在模具型腔中設置 3-4 個直徑精度 ±0.01mm 的定位銷,配合彈簧頂針將基材固定在型腔中心,確保基材與型腔內壁的間隙均勻(單邊 0.2-0.5mm,根據包覆厚度調整),避免注塑時基材偏移導致局部包覆過薄或漏包。
對于異形基材(如帶凹槽、凸起的結構),需設計隨形定位塊,貼合基材曲面,防止填充時硅膠沖擊力導致基材位移。
全環繞流道與階梯式澆口
流道設計為環形或螺旋形,圍繞基材均勻分布,確保硅膠從多個方向同步填充,避免單側進料導致的 “料流死角”(如基材背面或凹槽處)。
澆口采用多點階梯式布置(如沿基材周向每 30°-60° 設一個微型澆口,直徑 0.3-0.8mm),通過時序控制各澆口的開啟順序(先開啟遠端澆口,再開啟近端),確保硅膠逐步填滿所有間隙,尤其針對深腔、拐角等易缺料區域。
微縫排氣與防溢設計
在型腔末端(如基材與模具的貼合面、拐角頂點)開設0.01-0.02mm 深的排氣微縫,長度 5-10mm,確保硅膠填充時排出型腔空氣,避免氣泡導致的局部未包覆。同時在分型面設置防溢膠壩(高度 0.1mm,寬度 1mm),防止硅膠從定位間隙溢出形成飛邊,影響包覆完整性。
低剪切低速填充,避免料流 “繞流盲區”
注射壓力:采用 “階梯式升壓”(初始壓力 30-50bar,填充至 50% 時升至 60-80bar),避免高壓沖擊導致基材移位,同時確保硅膠能緩慢浸潤基材表面的細微凹槽。
注射速度:控制在 5-15mm/s 的低速范圍,使硅膠以 “層流狀態” 包裹基材,尤其在基材的孔、槽等復雜結構處,低速填充可減少湍流導致的空氣卷入,確保每個角落都被硅膠充滿。
模具溫度與硫化時間協同
模具溫度需匹配硅膠硫化特性(通常 150-180℃),且確保型腔各區域溫度均勻(溫差≤±3℃),避免局部溫度過低導致硅膠提前固化,形成填充障礙。硫化時間按 “包覆厚度 + 基材熱傳導率” 計算(如 0.3mm 包覆層需 15-20s),確保硅膠在完全填充后充分交聯,與基材形成穩定結合。
保壓補縮,消除微間隙
填充完成后保持 5-10bar 的保壓壓力 3-5s,向型腔補充微量硅膠,補償硅膠硫化過程中的體積收縮(約 2%-3%),確保基材與硅膠間無微小縫隙,尤其適用于要求高氣密性的場景(如防水連接器)。
熱膨脹系數匹配
選擇與基材熱膨脹系數(CTE)接近的液態硅膠(如 PC 基材 CTE 約 60×10??/℃,可選用 CTE 80-100×10??/℃的 LSR),減少高低溫循環(-40℃~125℃)時因收縮差異導致的包覆層開裂或剝離。
硬度與流動性平衡
針對復雜結構包覆,優先選用低粘度(5000-10000mPa?s)、中低硬度(30-50 Shore A)的 LSR,其流動性更好,能快速填充細微間隙;若需兼顧結構強度,可采用 “雙硬度注塑”(基材外層用軟膠密封,外層再包覆硬膠增強),既保證無死角密封,又滿足力學性能要求。
以 “金屬針腳 + 塑料基座” 的防水連接器為例,實現無死角包覆的關鍵步驟:
金屬針腳噴砂 + 硅烷處理,塑料基座等離子活化;
模具采用 4 個定位銷固定基座,針腳周圍設環形流道 + 8 個微型澆口;
注射參數:壓力 50→70bar,速度 8mm/s,模具溫度 160℃,硫化時間 20s;
最終實現針腳與基座接縫處、基座邊緣的 360° 完全包覆,防水等級達 IP68(水下 2m/24h 無滲漏)。
通過以上方法,可確保液態硅膠在全包膠過程中實現 “零死角、高強度、高氣密” 的包覆效果,核心在于 “定位精準不偏移、填充充分無氣泡、界面結合不剝離” 的全鏈條控制。
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